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用于快速存储器件的薄膜磁体之间的新型相互作用,中国化工网,okmart.com
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用于快速存储器件的薄膜磁体之间的新型相互作用
2019年06月05日    阅读量:114    新闻来源:中国化工网 okmart.com  |  投稿

电磁学领域的突破性发现开辟了三维旋转结构的设计,这可能是未来磁存储单元的基本单元。


来自埃因霍温科技大学,德国和韩国的研究人员发现了薄膜磁体之间的新型相互作用,这为更快,更强大的具有更大数据容量的存储器件奠定了基础。结果今天发表在  Nature Materials上中国化工网okmart.com


如今,我们无处不在地流式传输视频,将有声读物下载到移动设备,并在我们的设备上存储大量照片。因此,我们所需的存储容量正在快速增长,研究人员正在努力开发新的数据存储选项。一种可能性由所谓的“跑道存储装置”表示,其中数据以相反磁化层(“域”)的形式存储在纳米线中。


来自TU / e,Johannes Gutenberg University(JGU)(德国),Peter Grunberg Institute(PGI),Daegu Gyeongbuk科学技术研究所(韩国)和Sogang University(韩国)的研究团队现已发现可以显着改善这些赛道记忆设备。未来可以将信息存储在三维旋转结构中,而不是使用单个域,使存储器更快,更稳健并提供更大的数据容量。


层间耦合相互作用。两个铁磁层(红色,蓝色)反平行排列(箭头表示从南极到北极的方向)被这种电子效应强制“扭曲”它们的磁化(如臂所示),增加了手征性(优先旋转感) 。图片来源:埃因霍温科技大学


新的互动


研究小组能够展示迄今未发现的相互作用,这种相互作用发生在由非磁性层隔开的两个薄磁层之间。通常,自旋彼此平行或反平行排列。对于这样的两个单独的磁性层也可以预期这一点。然而,在这项工作中,研究人员已经能够证明两层中的自旋相互扭曲。更准确地说,它们耦合成垂直对齐,彼此成90度角。


应用物理学助理教授Reinoud Lavrijsen说:“这一突破性发现开辟了设计各种新型三维自旋结构的可能性,从长远来看,这可能会产生新的磁性存储单元。然而,已确定的相互作用是在这个时刻。对应用程序来说还不够强大,但我们致力于进一步优化它,以便它可以用于未来的三维数据存储和逻辑设备。“


标签:行业资讯今日头条技术中心仪器设备
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