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三菱电机开发出世界上第一个直接与金刚石基板结合的多电池GaN-HEMT,中国化工网,okmart.com
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三菱电机开发出世界上第一个直接与金刚石基板结合的多电池GaN-HEMT
2019年09月03日    阅读量:280    新闻来源:中国化工网 okmart.com  |  投稿

将提高微波电子在各个领域的能效和可靠性

东京- (美国商业资讯) - 三菱电机株式会社(东京证券交易所:6503)今天宣布,与合作研究中心,无处不在的MEMS微型工程先进工业科学技术(AIST)的研究所,它已经开发出镓多单元结构中的氮化物 - 高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)(并联排列的多个晶体管单元)直接键合到具有高导热率的单晶金刚石散热基板上。多电池GaN-HEMT与单晶金刚石基板的直接结合被认为是世界上第一个。*新型GaN-on-Diamond HEMT将提高移动通信基站和卫星通信系统中高功率放大器的功率附加效率,从而有助于降低功耗中国化工网okmart.com三菱电机将在2025年商业发布之前完善GaN-on-Diamond HEMT。
*根据三菱电机2019年9月2日的研究

该研究成果首次在9月2日至5日在日本名古屋大学举行的固态器件和材料国际会议(SSDM)上首次公布。

三菱电机负责GaN-on-Diamond HEMT的设计,制造,评估和分析,AIST开发了直接键合技术。该成就的一部分是基于新能源和工业技术开发组织(NEDO)委托的项目获得的结果。


标签:企业聚焦今日头条技术中心精细化学品化学试剂生物制药
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